P型半導(dǎo)體，也稱為空穴型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。

特點　　半導(dǎo)體中有兩種載流子：導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴。如果某一類型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導(dǎo)體就稱為P型半導(dǎo)體。

“P”表示正電的意思，取自英文Positive的個字母。在這類半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的(即電荷載體)主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導(dǎo)體中的受主。因此凡摻有受主雜質(zhì)或受主數(shù)量多于施主的半導(dǎo)體都是p型半導(dǎo)體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體就是P型半導(dǎo)體。

由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導(dǎo)體呈電中性。空穴主要由雜質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子(空穴)的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。

形成原理　　要產(chǎn)生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導(dǎo)體。對于Ⅳ族元素，半導(dǎo)體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導(dǎo)體中，化學(xué)配比的微量偏移可造成大量電載荷流子，氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半導(dǎo)體，且當(dāng)它們在氧壓中加熱后，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導(dǎo)體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。

led燈珠即，發(fā)光二極管是能夠立即將電轉(zhuǎn)換為光的固體半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管由GaAs（氮化鎵）、Gap（磷化鎵）、GaAsp（磷氮化鎵）等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的III？是IV族化學(xué)物質(zhì)，其關(guān)鍵是pN接合。因此，一般的p？N結(jié)的I？具有N特性，即前向?qū)ā⒎聪蚨私印⒇炌ㄌ匦浴ED的心血管是半導(dǎo)體材料的芯片，芯片的一端安裝在支撐框架上，一端為負段，另一端連接到開關(guān)電源的正段，所有芯片用環(huán)氧樹脂橡膠封裝。

半導(dǎo)體材料芯片由三個部分組成，一部分是p型半導(dǎo)體，其中空穴占主導(dǎo)性，另一端是N型半導(dǎo)體，其中主要是電子器件，中間一般為1？是五個周期的量子井。當(dāng)電流量響應(yīng)于功率傳送線的效果而作用于該芯片時，電子元件和空穴被引導(dǎo)到量子井，電子元件在量子井內(nèi)與空穴復(fù)合，然后運動能如光學(xué)量子那樣被傳送led燈珠，這是發(fā)光的基本原理。可見光波長即光的顏色為p？由產(chǎn)生N結(jié)的原材料決定。